隨著自旋轉移矩MRAM(STT-MRAM)的出現，MRAM邁出了商業化的重要一步。
 
第一個商業化的磁隨機存儲器MRAM產品是飛思卡爾半導體公司于2006年生產的4Mb容量Toggle-MRAM，該部門是Everspin的前身。之后Everspin公司推出了具有SRAM速度和閃存結構的非易失的Toggle-MRAM，其16位32Mb并行MRAM具有最高35ns的寫入周期時間，工作溫度范圍為-40~125℃，適用于工業和汽車應用。Everspin在2012年就生產出了首個商業級的64Mbit的STT-MRAM存儲器芯片并在2017年大批量生產了256Mb DDR3 STT-MRAM，并于2017年集成了40nm CMOS，并在2019年批量生產了28nm CMOS上的1Gb DDR4 STT-MRAM。
 
Everspin在2022年5月份推出了用于工業物聯網和嵌入式系統的 xSPI，Everspin 的新 xSPI  MRAM產品系列基于擴展的串行外設接口，這是用于非易失性存儲設備的最新 JEDEC 標準。它基于 Everspin 獨特的工業 STT MRAM 技術。這些產品提供高性能、多 I/O、SPI 兼容性，并具有高速、低引腳數的 SPI 兼容總線接口，時鐘頻率高達 200 MHz。這些持久性內存 MRAM 設備在單個 1.8V 電源上運行，并通過八個 I/O 信號提供高達 400MBps 的讀取和寫入速度。開啟了通用存儲器應用解決方案的新紀元，取代了 SRAM、BBSRAM、NVSRAM 和 NOR 器件等產品，面向工業自動化、過程控制、仿真、汽車和運輸、游戲以及更廣泛的工業物聯網市場。
 
高通正在加速研究STT-MRAM技術。2015年項目研究員Seung H. Kang發布了一款8Mbit混合STT-MRAM的SOC芯片。在沒有軟錯誤的情況下，工作頻率可以達到500MHZ。在40nm工藝下，適用于混合STT-MRAM的SOC，若工藝尺寸可以降到28nm，那么其性能可以與SRAM相媲美。
 
東芝公司用STT-MRAM代替SRAM，使得微處理器中的高速緩存功耗降低了近60%。日本超低壓元器件技術研究聯盟（LEAP）在VLSI Symposia上同樣實現了用STT-MRAM對傳統SRAM的替換。傳統的STT-MRAM單純采用蝕刻技術來制造，但這種技術會由于MTJ尺寸的偏差導致性能偏差。因此，為解決MTJ制造工藝中的尺寸偏差問題，LEAP研究出了全新的蝕刻技術，顯著降低了MTJ制造過程中尺寸不均勻的問題。
 
霍尼韋爾和Cobham（前身為Aeroflex）等其他公司也推出了自己的MRAM產品，它們同樣使用Toggle-MRAM單元和SRAM結構。其中霍尼韋爾采用特殊抗輻照的150nm 絕緣體上硅（silicon oninsulator，SOI）CMOS技術，使其MRAM產品在衛星和其他航天應用中具有很高的可靠性和輻射抗性。
 
在過去幾年里，包括臺積電、英特爾、三星、SK海力士等晶圓代工廠和IDM，相繼大力投入MRAM研發。

更多產品詳情鏈接：http://m.sierrawools.com/list-762-1.html
 

本文關鍵詞：MRAM,STT-MRAM,Everspin

相關文章：xSPI MRAM可替代兆易創新SPI Nor Flash方案

深圳市英尚微電子有限公司是一家專業的靜態隨機記憶體產品及方案提供商，十年來專業致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產品及方案。
英尚微電子中國區指定的授權代理：VTI、NETSOL、JSC濟州半導體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導體品牌的專業分銷商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。