英特爾介紹整合于其22FFL工藝的自旋轉移力矩(STT)-MRAM非揮發內存之關鍵特性，并指稱這是“首款基于FinFET的MRAM技術”。英特爾表示該技術目前已經“生產就緒”(production-ready)，但并沒透露有哪一家代工廠采用這一工藝；不過，根據多個消息來源顯示，該技術已經用于目前出貨中的產品了。
同時，三星(Samsung)介紹在其28nm FDSOI工藝制造的STT-MRAM。從可擴展性、形狀可調整以及磁可擴展性方面來看，STT-MRAM被視為是目前最佳的MRAM技術。
隨著業界持續邁向更小技術節點，DRAM和NAND閃存(flash)正面對著嚴苛的微縮挑戰，MRAM因而被視為有望取代這些內存芯片的備選獨立式組件。此外，這種非揮發性內存由于具備快速讀/寫時間、高耐受度以及強勁的保留能力，也被視為極具吸引力的嵌入式技，適用于取代Flash和嵌入式SRAM。嵌入式MRAM被視為特別適用于像物聯網(IoT)設備之類的應用。
電子顯微鏡影像顯示MTJ數組的橫截面，該數組嵌入于英特爾22nm FinFET邏輯工藝中的Metal 2和Metal 4之間
但隨著制造成本降低以及其他內存技術面對微縮挑戰，嵌入式MRAM越來越受青睞。重要的是，隨著新的工藝技術進展，SRAM內存單元的尺寸并不會隨著其后的先進工藝而縮小，因此，MRAM將會變得越來越有吸引力。
其嵌入式MRAM技術在攝氏200°溫度下可實現10年的數據保留能力，耐受度超過106個開關周期。該技術使用216×225 mm 1T-1R內存單元。
同時，三星稱其8Mb MRAM的耐受度為106個周期，同樣支持10年的保留能力。
Song表示，三星的技術一開始將先針對物聯網(IoT)應用，并將在提高可靠性之后，陸續導入汽車和工業應用。“我們已成功將該技術從實驗室轉移到晶圓廠，預計在不久的將來上市。”
而一直立足于MRAM市場領域的EVERSPIN卻已經早將STT-MRAM商業化，推出了并口，串口，DDR3等接口的MRAM產品，Everspin Technologies是一家開發和制造磁性RAM或磁阻隨機存取存儲器（MRAM）的公共半導體公司，其中包括獨立和嵌入式MRAM產品以及自旋扭矩MRAM（ST-MRAM）。Everspin Technologies提供Toggle MRAM，自旋轉矩MRAM，嵌入式MRAM，磁性傳感器以及航空和衛星電子系統，公司產品應用于工業，汽車，運輸和企業存儲市場。
本文關鍵詞：MRAM
相關文章：STM32單片機外擴SRAM的選擇
深圳市英尚微電子有限公司是一家專業的靜態隨機記憶體產品及方案提供商，十年來專業致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產品及方案。
英尚微電子中國區指定的授權代理：VTI、NETSOL、JSC濟州半導體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半導體品牌的專業分銷商 如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。
