eVaderis最近發(fā)布一項超低功耗MCU參考設計的共同開發(fā)計劃，采用格芯(Globalfoundries)基于22nm FD-SOI (22FDX)平臺的嵌入式MRAM技術(shù)。兩家公司正尋求支持一系列的低功耗應用，例如以電池供電的物聯(lián)網(wǎng)(IoT)產(chǎn)品、消費和工業(yè)MCU，以及汽車控制器。

Globalfoundries近來積極經(jīng)營MRAM領域，它是少數(shù)幾家公開宣布在2017年底前至2018年量產(chǎn)MRAM的代工廠之一，并且也已經(jīng)與Everspin Technologies展開深入合作——Everspin Technologies是第一家從新興MRAM獲得商業(yè)動能的制造商。在2017年于日本舉行的國際超大規(guī)模集成電路技術(shù)、系統(tǒng)暨應用研討會(VLSI-TSA 2018)上，Globalfoundries在一篇技術(shù)論文中描述了Everspin將eMRAM推向22nm制程節(jié)點的進展，以及它如何為嵌入應用大幅提升數(shù)據(jù)保留效能。同時，Spin Transfer Technologies (STT)近期在商用化MRAM技術(shù)方面也取得了進展。

eVaderis透過Globalfoundries的FDXcelerator合作伙伴計劃設計其MCU技術(shù)，并有效利用22FDX平臺的高效率電源管理功能。eVaderis總裁兼執(zhí)行長Jean-Pascal Bost在接受《EE Times》電話采訪時表示，使用Globalfoundries的eMRAM用于讓eVaderis MCU的各個部份頻繁地上電，而不會導致典型的MCU性能損失，較上一代MCU的電池壽命更高10倍以上，芯片尺寸也大幅縮小。

eVaderis在eMRAM MCU方面的進展反映該公司的預測：新興內(nèi)存將在2016年取得明顯成長動能，而不再等待業(yè)務到位。eVaderis于2014年成立。Bost表示該公司的目標在于以MRAM與RRAM等顛覆性的嵌入式內(nèi)存技術(shù)為基礎，提供創(chuàng)新IP解決方案。目前該公司有三大內(nèi)部團隊，分別專注于設計自動化、制作工具以及系統(tǒng)。

整體而言，eVaderis期望能將某一種內(nèi)存制程移植到另一種，從一家代工廠移植到另一座代工廠。eVaderis創(chuàng)辦人兼副執(zhí)行長Virgile Javerliac說，該公司目前主要專注于為MRAM和RRAM等內(nèi)存開發(fā)高效率IP。

Bost說，自公司最初成立以來，許多情況已經(jīng)發(fā)生變化了。“五年前，我們認為必定會在40nm時面對閃存的挑戰(zhàn)，而今情況并非如此。三家主要的代工廠都采用MRAM作為28nm及以下節(jié)點的非揮發(fā)性內(nèi)存解決方案，而且這些節(jié)點都不會再有閃存。這對我們來說是個好消息。”

 
eVaderis專注于具顛覆性的嵌入式NVM的產(chǎn)品，例如可提供類似嵌入式SRAM和DRAM性能的自旋傳輸力矩磁性隨機內(nèi)存(STT-RAM)和電阻式隨機存取內(nèi)存(RRAM)。

Javerliac表示，位級的讀寫能力以及讓客戶直接存取編譯程序，有助于縮短產(chǎn)品上市時間。相較于宏觀層面的閃存，目前采用MRAM已能在邏輯層面工作了。“你可以在CPU中啟用特定類型的功能。”他說，與Flash不同的是，你可以將技術(shù)分配用于整個系統(tǒng)中。

Bost說，eVaderis早期曾經(jīng)進行了大量的客戶訪談，目的在于了解對于MRAM和RRAM的性能期待。PRAM帶來了一些新的市場興趣，因為它展現(xiàn)出可能成為某些應用的理想解決方案。他說：“這兩種技術(shù)都有發(fā)展空間。但很顯然，最大的市占率將會屬于MRAM。”

eVaderis與GlobalFoundries共同開發(fā)使用eMRAM的22FDX參考設計，預計將在今年第四季上市。制程設計套件現(xiàn)已上市，采用多計劃晶圓的22FDX eMRAM客戶原型已在開發(fā)中。

Objective Analysis首席分析師Jim Handy表示，迄今為止，在MCU上采用這些新興內(nèi)存并不普及，主要是因為這些新技術(shù)比起NOR閃存或SRAM的成本更高。他說：“隨著制程微縮超過14nm，預計將會發(fā)生變化，因為NOR無法再使用，而SRAM也開始變得越來越大。”

Handy表示，eVaderis支持低功耗MRAM的低功耗MCU聽起來與電池供電設備非常相稱。“MRAM比閃存更能持久儲存數(shù)據(jù)。然而，無論是NAND還是NOR，閃存的寫入都會長時間耗電，"強制預擦除更是耗電。”

他認為，MRAM和其他新興非揮發(fā)性技術(shù)的特點之一在于編程人員能夠靈活地使用內(nèi)存。“他們不再需要將程序代碼限制在NOR的大小或限制數(shù)據(jù)只能在SRAM的大小，”Handy說： “這不僅簡化了設計，而且透過讓同樣基于MRAM的MCU用于多種應用中，可為某些客戶節(jié)省成本

本文關鍵詞：Everspin

 

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