異步SRAM是一種使用基于觸發(fā)器的鎖存電路來存儲每一位的易失性隨機存取存儲器（RAM）。只要供電，數(shù)據(jù)位就保留在存儲器中。英尚微提供業(yè)界最廣泛的異步SRAM產(chǎn)品組合，從256K到64M。
 
    英尚微EMI504NF08VA是一款容量為4Mb的高速靜態(tài)隨機存取存儲器SRAM，512K字乘8位。它使用8條公共輸入和輸出線，并具有輸出使能引腳，該引腳的操作速度快于讀取周期的地址訪問時間。該器件采用先進(jìn)的CMOS工藝、基于6-TR的單元技術(shù)制造，并設(shè)計用于高速電路技術(shù)。封裝采用44-TSOP2。它特別適合在高密度高速系統(tǒng)應(yīng)用中使用。
 
    英尚微提供異步快速SRAM，最快訪問時間為8ns。它們的密度從256Kbit到64Mbit不等，支持1.8V到5V的寬電壓范圍。這些應(yīng)用程序用于諸如交換機和路由器之類的網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用程序。部分SRAM產(chǎn)品型號可替換ISSI以及Cypress，來揚等品牌。更多產(chǎn)品詳情及技術(shù)支持聯(lián)系英尚微。


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