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主頁(yè) ? 產(chǎn)品中心 ? NV RAM ? MRAM ? Parallel MRAM ?
?everspinEverspin MRAM是一種具有革命性的存儲(chǔ)器，其原理是利用電子自旋的磁性結(jié)構(gòu)，來(lái)提供不會(huì)產(chǎn)生損耗的非揮發(fā)特性。Everspin MRAM可在集成了硅電路的磁性材料中存儲(chǔ)信息，以在單一、可無(wú)限使用的組件中提供SRAM的速度以及閃存的非揮發(fā)特性。Everspin是從飛思卡爾半導(dǎo)體公司分離出來(lái)的一家獨(dú)立公司。2006年，Everspin推出業(yè)界第一款商業(yè)化MRAM產(chǎn)品。今日，Everspin MRAM已廣泛用在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、工業(yè)自動(dòng)化、游戲、能源管理、通訊、運(yùn)輸、和航空電子領(lǐng)域。
Everspin Technologies 并行MRAM具有兼容SRAM的35ns讀/寫周期，并擁有出色耐久性。數(shù)據(jù)保持期長(zhǎng)達(dá)20年以上而不會(huì)丟失，并會(huì)在掉電時(shí)由低壓抑制電路自動(dòng)提供保護(hù)，以防止在非工作電壓期間寫入。能夠在商業(yè)級(jí)（0至+70 °C）、工業(yè)級(jí)（-40至+85 °C）與擴(kuò)展級(jí)（-40至+105 °C）溫度范圍內(nèi)工作，并在整個(gè)溫度范圍內(nèi)保持高度可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)能力。
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